Samsung - Mémoire Vive - RDRAM Rambus - 2 x 256 Mo - ECC - 800-45

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Samsung - Mémoire - 128 Mo - DIMM 184 broches - RDRAM - PC800 - ECC - 711 MHz

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Samsung - 2 x 128 Mo - Mémoire Rambus Rdram - (ref MR16R1624DF0-CM8)

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Samsung Rambus RDRAM PC800 - Mémoire - 512 Mo ( 2 x 256 Mo ) - RIMM 184 broches - RDRAM - 800 MHz

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Samsung - Mémoire Vive - RAMBUS RDRAM - 64 Mo x 2 - RIMM 184 Broches - 800 MHz - Sans Parité

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Samsung - Mémoire Vive - RAMBUS RDRAM - 64 Mo x 2 - RIMM 184 Broches - 600 - 4 / ECC

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Samsung - Mémoire - 1024 Mo ( 2 x 512 Mo )- RAMBUS (RDRAM) - PC800-40 - Non ECC

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Samsung - Mémoire - 2 x 128 Mo - Rambus Rdram - PC800 - MR16R1624AF0-CK8

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Samsung - Mémoire - 64 Mo x 2 - RDRAM - PC800

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Samsung - Mémoire - 512 Mo x 1 - RIMM 184 broches - RDRAM - 800 MHz - 16ECC

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Samsung MR16R082GBN1-CK8 800-45 101 - Mémoire - 256 Mo - RDRAM (rambus) PC800

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MEMOIRE RDRAM (2 x 256mo) ECC - Marque Samsung - ECC 800-45 - KOREA MR18R082GBN1-CK8Q0 256 Mo / 16 ECC

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SAMSUNG - Memoire - 256 Mo - RAMBUS - RDRAM - 800MHz - ECC - 184 Broches

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Samsung - Mémoire - 256 Mo (2 x 128 Mo) - RDRAM Rambus - PC1066 - 32ns - Non-ECC - Ref MR16R1624DF0-CT9

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Samsung - Mémoire - 512 Mo - 184 broches - PC800 RDRAM (Rambus) 40ns - ECC - MR18R162GAF0CM8

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